在半导体行业空话四起的这个月，来自韩国的最新报谈露出，AMD 可能会与三星和解，购买后者的 3 纳米半导体制造工艺时候。三星和台积电是天下上唯二为 AMD 和英伟达（NVIDIA）等公司提供现成芯片坐褥线的公司。它们的最新工艺皆是 3 纳米节点，天然称号相同，但晶体管的野心却不同。台积电筹谋在畴昔使用纳米片晶体管，其家具则依赖于可靠的 FinFET 工艺。

比拟之下，三星为客户提供了使用更新的全周栅极（GAAFET）晶体管的才略，这种晶体管不错让芯片野心东谈主员改善家具里面的电力流动，但也有一些污点。

据《韩国经济日报》报谈，三星和 AMD 展望将长远和解，诈欺 3 纳米工艺时候坐褥下一代芯片。当今，由于唯独苹果公司的 Mac 系列使用台湾台积电坐褥的芯片，因此大多半个东谈主电脑皆无法使用这种时候坐褥的芯片。

三星的 3 纳米与台积电的 3 纳米不同，因为它使用的是栅极环绕（GAAFET）晶体管。GAAFET 是一种升级版晶体管野心，优于 FinFET，它允许野心东谈主员考订电流量，因为考订后晶体管的沟谈不错全皆被栅极环绕。

GAAFET 晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些皆需要对导线或薄片进行量度。天然导线擢升了后果，但其较小的面积端正了它们在某些家具（如应用经管器）中的应用。另一方面，纳米片允许更多电流流过，但传导后果却有所缩小。

三星代工场的图表露出了晶体管从 FinFET 到 GAAFET 再到 MBCFET 的演变经由。 图片：三星电子

报谈征引 AMD 首席引申官苏姿丰（Lisa Su）最近在比利时举行的一次会议上共享的 GAAFET 晶体管优于 FinFET 晶体管的不雅点，阐述两家公司专诚长远和解商酌。据《韩国经济日报》报谈，苏姿丰先容了她的公司禁受全办法栅极时候批量坐褥 AMD 下一代家具的筹谋。

由于三星是天下上惟逐个家坐褥 3 纳米 GAAFET 家具的公司，分析家们觉得，苏的驳倒是这家韩国公司坐褥 AMD 新芯片的踪迹，他还觉得 3 纳米 GAAFET 在性能和后果方面皆优于往时的时候。

契约半导体制造行业当今的态势是三星和英特尔与台积电坚持。台积电在市集上占据主导地位，而它的两个大型竞争敌手正忙于禁受新时候，以确保在实力浑厚的竞争敌手眼前得回上风。

英特尔正在商酌名为高 NA EUV 的先进芯片制造建立，看能否缩小制变老本和复杂性。另一方面，三星不仅比台积电更早运转坐褥 3 纳米家具，还在其家具阶梯图中更早引入先进的 GAAFET 晶体管，试图从台湾公司手中夺走 3 纳米家具的市集份额。

另一方面，台积电多年来一直强调不错使用传统的 EUV 机器制造芯片，并晓示将在其 2 纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管亦然更小特征尺寸的扫尾，因为这些晶体管越小，制造商在制造 FinFET 时就越穷苦。